Cần giúp Hỏi về IR2101

kuem0912

Kỹ sư
#1
Chào các bác, các bác cho em hỏi em mới mua 4 con IR2010 về mà thấy chân H_out của nó luôn ở mức cao mặc dù H_in em nối GND hay VCC gì thì nó vẫn không thay đổi. Cả mấy con đều thế.
bread-board-uzerine-ir2101-motor-driver-hbridge-irfz44n-mosfet.png


Em muốn hỏi thêm là cái tụ nối chân 6 vs chân 8 (tụ boost strap) giá trị nó tính hay chọn giá trị như thế nào các bác?
upload_2016-8-31_0-8-10.png

Và theo cái hình này thì thành ra chân Ho không có khi nào ở mức thấp được phải không các bác. Thành ra cái con fet nối vs chân Ho luôn ở mức cao. Sao kì lạ quá. em ko biết em sai ở đâu nữa.
em cảm ơn các bác. hi
 
Sửa lần cuối:
#2
Chào các bác, các bác cho em hỏi em mới mua 4 con IR2010 về mà thấy chân H_out của nó luôn ở mức cao mặc dù H_in em nối GND hay VCC gì thì nó vẫn không thay đổi. Cả mấy con đều thế.
Xem đính kèm 74237

Em muốn hỏi thêm là cái tụ nối chân 6 vs chân 8 (tụ boost strap) giá trị nó tính hay chọn giá trị như thế nào các bác?
Xem đính kèm 74239
Và theo cái hình này thì thành ra chân Ho không có khi nào ở mức thấp được phải không các bác. Thành ra cái con fet nối vs chân Ho luôn ở mức cao. Sao kì lạ quá. em ko biết em sai ở đâu nữa.
em cảm ơn các bác. hi
Mãi không thấy thánh nào vào "quất" a :-$
Bạn không vẽ sai đâu, chỉ cần lắp tải vào P3 nối thông cầu H là sẽ đo đúng ngay. Đó là do kĩ thuật boostrap mà :))
Bạn phải đo điện áp giữa chân Vs & HO thì mới đúng logic theo đầu vào, Bạn cũng phải kiểm tra điện áp boostrap giữa chân Vs& Vb xem đã đủ chưa, thường thì nó bằng VCC - 0.5V, do rơi áp diode.
Không nên dùng tụ hóa vào chỗ boostrap này, dù gì thì tụ hóa có trở kí sinh RSD lớn nên lúc nạp xả tần số đóng cắt cao kém hơn so với tụ gốm.
Trong hướng dẫn của hãng thì dùng tụ 100nF là đủ, lớn quá cũng không tốt. Bởi vì trong những xung đầu tụ boostrap sẽ tăng áp chậm hơn, khiến điện áp mở mosfet trong những xung đầu này là không hoàn toàn, có thể phát nóng - nổ FET. Giá trị tụ này cũng không được nhỏ quá, nếu không khi nạp và xả vào cực G của Mosfet thì sập áp, cũng không đủ áp để mở hoàn toàn Fet cũng chết. =))
Vậy tính thế nào ~X(
Nên chọn giá trị tụ boostrap theo giá trị tụ kí sinh cực G của Mosfet - Qg - Total Gate Charge, ví như IRF3205 cần tối thiểu 146nC, nếu dùng tụ 100nF, điện áp trên tụ là 12V. Ta có quan hệ là C = Q/U. Để mà FET mở hoàn toàn thì Vgs >10V. thế thì delta Q cho phép xả ra sẽ là: Qs = C(12-10) = 100n*2 = 200nC ~ 146nC. Như vậy với tụ boostrap 100nF chỉ có thể nuôi đóng cắt 01 con IRF3205 mà thôi, nếu mắc song song hai con Mosfet 3205 thì điện áp Vgs sẽ sập xuống dưới 10V và Fet sẽ hoạt động ở chế độ đóng cắt không hoàn toàn, Rson lớn, phát nhiệt lớn và bùm bùm bùm &[]
Nếu đóng cắt ở điện áp cao như >100V - 400V thường có thêm TVS bảo vệ giữa cực G&S nữa để tránh bị đánh thủng khi đóng cắt, do quá trình quá độ và tụ kí sinh giữa cực D & S nữa. Nhưng ở đây 24V thì bỏ đi 8-}
Chọn R nối tiếp cực G gì mà lớn vậy 47R trong khi con FET thì có Qg lớn, nếu đóng cắt tần số cao sẽ làm cho vùng tuyến tính trước đóng và cắt lớn -> tổn hao switching tăng, Fet nóng. Con R đó có tác dụng làm giảm rise time của FET, nhưng người ta còn mắc ngược diode xả để giảm thời gian off time của FET để giảm tổn hao Switching.
Tại sao phải giảm rise time [-x
Vì nếu rise time ngắn thì di/dt & dV/dt lớn hơn, nếu vượt ngưỡng cho phép của Fet, nó sẽ Bùm bùm bùm ... :-&:puke!^:)^ Chưa hết kkk giảm rise time còn làm giảm ringing trên FET, làm giảm EMI nữa kkk

Phải tính kĩ hơn từng con linh kiện đặt xuống, dù là 01 con trở, đó mới là thiết kế sư thực sự B-)
<đọc kĩ hướng dẫn trước khi sử dụng >>:)>:)>:)>:)>:)>:)>:)>:)>:)
p/s: quên bonus thêm cho kĩ thuật sử dụng là, khi mới đầu người ta thường cho cầu H chạy mồi ở duty nhỏ trước để nạp đầy tụ boostrap xong mới chạy full cho an toàn. Thậm chí mở Fet low-side trước hay high-side trước nữa :D
 
Sửa lần cuối:

kuem0912

Kỹ sư
#3
Mãi không thấy thánh nào vào "quất" a :-$
Bạn không vẽ sai đâu, chỉ cần lắp tải vào P3 nối thông cầu H là sẽ đo đúng ngay. Đó là do kĩ thuật boostrap mà :))
Bạn phải đo điện áp giữa chân Vs & HO thì mới đúng logic theo đầu vào, Bạn cũng phải kiểm tra điện áp boostrap giữa chân Vs& Vb xem đã đủ chưa, thường thì nó bằng VCC - 0.5V, do rơi áp diode.
Không nên dùng tụ hóa vào chỗ boostrap này, dù gì thì tụ hóa có trở kí sinh RSD lớn nên lúc nạp xả tần số đóng cắt cao kém hơn so với tụ gốm.
Trong hướng dẫn của hãng thì dùng tụ 100nF là đủ, lớn quá cũng không tốt. Bởi vì trong những xung đầu tụ boostrap sẽ tăng áp chậm hơn, khiến điện áp mở mosfet trong những xung đầu này là không hoàn toàn, có thể phát nóng - nổ FET. Giá trị tụ này cũng không được nhỏ quá, nếu không khi nạp và xả vào cực G của Mosfet thì sập áp, cũng không đủ áp để mở hoàn toàn Fet cũng chết. =))
Vậy tính thế nào ~X(
Nên chọn giá trị tụ boostrap theo giá trị tụ kí sinh cực G của Mosfet - Qg - Total Gate Charge, ví như IRF3205 cần tối thiểu 146nC, nếu dùng tụ 100nF, điện áp trên tụ là 12V. Ta có quan hệ là C = Q/U. Để mà FET mở hoàn toàn thì Vgs >10V. thế thì delta Q cho phép xả ra sẽ là: Qs = C(12-10) = 100n*2 = 200nC ~ 146nC. Như vậy với tụ boostrap 100nF chỉ có thể nuôi đóng cắt 01 con IRF3205 mà thôi, nếu mắc song song hai con Mosfet 3205 thì điện áp Vgs sẽ sập xuống dưới 10V và Fet sẽ hoạt động ở chế độ đóng cắt không hoàn toàn, Rson lớn, phát nhiệt lớn và bùm bùm bùm &[]
Nếu đóng cắt ở điện áp cao như >100V - 400V thường có thêm TVS bảo vệ giữa cực G&S nữa để tránh bị đánh thủng khi đóng cắt, do quá trình quá độ và tụ kí sinh giữa cực D & S nữa. Nhưng ở đây 24V thì bỏ đi 8-}
Chọn R nối tiếp cực G gì mà lớn vậy 47R trong khi con FET thì có Qg lớn, nếu đóng cắt tần số cao sẽ làm cho vùng tuyến tính trước đóng và cắt lớn -> tổn hao switching tăng, Fet nóng. Con R đó có tác dụng làm giảm rise time của FET, nhưng người ta còn mắc ngược diode xả để giảm thời gian off time của FET để giảm tổn hao Switching.
Tại sao phải giảm rise time [-x
Vì nếu rise time ngắn thì di/dt & dV/dt lớn hơn, nếu vượt ngưỡng cho phép của Fet, nó sẽ Bùm bùm bùm ... :-&:puke!^:)^ Chưa hết kkk giảm rise time còn làm giảm ringing trên FET, làm giảm EMI nữa kkk

Phải tính kĩ hơn từng con linh kiện đặt xuống, dù là 01 con trở, đó mới là thiết kế sư thực sự B-)
<đọc kĩ hướng dẫn trước khi sử dụng >>:)>:)>:)>:)>:)>:)>:)>:)>:)
p/s: quên bonus thêm cho kĩ thuật sử dụng là, khi mới đầu người ta thường cho cầu H chạy mồi ở duty nhỏ trước để nạp đầy tụ boostrap xong mới chạy full cho an toàn. Thậm chí mở Fet low-side trước hay high-side trước nữa :D
@@ Bác làm em đau đầu rồi đấy. Cảm ơn bác rất nhiều. Vậy là e sẽ nghiên cứu kĩ rất là kĩ và tìm hiểu lại cái đã trc khi đóng điện lần tiếp theo vì em không muốn tốn tiền. hjhj.
Tks bác nhé.
 

Quytu

Học sinh phổ thông
#4
Em cũng đang nghiên cứu mạch này nhưng chạy nguồn 300vdc để làm biến tần chạy quạt
 
Sửa lần cuối:

Quytu

Học sinh phổ thông
#5
Theo e mạch này ko khả thi!e cũng đang nghiên cứu mạch này để chạy quạt (tần số thay đổi đc) bác nên thiết kế mạch chạy ir2453
full-bridge-inverter-circuit.png
/14chân có thể điều khiển dễ dàng hơn
 

Quảng cáo Google